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技術(shù)交流
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標(biāo)簽導(dǎo)航
工藝設(shè)備
產(chǎn)品內(nèi)容
ICP高密度等離子體刻蝕系統(tǒng)刻蝕范圍：硅基：Si、SiNx、SiO2、Ge、GeSi、深硅刻蝕等Ⅲ-Ⅴ、Ⅱ-Ⅵ、藍(lán)寶石、SiC、金屬(Al、Nb、W)等高密度等離子體支持8英寸或以下尺寸整片以及碎片刻蝕Load-Lock雙腔，真空機(jī)械手傳輸氣路數(shù)量可根據(jù)用戶需求配置背氦精確控溫，可實(shí)現(xiàn)低溫/高溫刻蝕軟硬件互鎖機(jī)制基于Windows操作軟件，具備系統(tǒng)監(jiān)測(cè)、工藝編輯、參數(shù)顯示等功能，具備儲(chǔ)存工藝日志和操作記錄的能力可基于用戶需求定制
隱藏域元素占位
新聞內(nèi)容
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